TN系列SiPM

光电系统的性能担当

基于CMOS工艺,集诸多优异性能于一身,您可以放心将探测任务交给它





主要性能特点

Main Performance Characteristics

  • 高增益

  • 高灵敏度

  • 高探测效率

  • 快速响应能力

  • 低工作电压

  • 出色的温度稳定性

  • 极佳的磁场兼容性

  • 结构紧凑

超高响应速度

TN系列SiPM具备超高响应速度,脉冲上升时间低至0.88ns


*数据来自TN1037@Vov=2V



高探测效率


表面抗反射层,增强TN系列SiPM光子捕捉能力
峰值波长探测效率达35%(TN3050@Vov=2V)


优异的噪声性能,精密分析的好帮手







极佳的光子计数能力



SiPM具有高至单光子级的灵敏度,使其成为极少数具备光子计数能力的传感器之一
如果你需要处理极弱光通量信号的情况,SiPM就是你的绝佳选择

极佳的击穿电压温度稳定性


击穿电压温度系数34.4mV/℃,变化率低至1.3%/℃






方形紧凑封装,易于大面阵扩展



TN3000系列SiPM采用紧凑的方形扁平无铅封装(QFN), 易于阵列化扩展,轻松面对大面阵深测需求


WireBond框架下SiPM最小封装尺寸



提高空间集成度,赋予系统更高空间分辨率,减少光信号流失